- 抵抗値1MΩおよび10MΩ
- 初期精度... 10ppm以内で一致する公称値の±25または30ppm
- 転送精度...±2 ppm（標準的な短期再現性）
- 較正精度...±10または15 ppm
- 抵抗値1MΩおよび10MΩ
- 初期精度... 10ppm以内で一致する公称値の±25または30ppm
- 転送精度...±2 ppm（標準的な短期再現性）
- 較正精度...±10または15 ppm
抵抗の低い転送規格の場合は、esi SR1010またはSR1030
IET Labsは、製造元であるSR1050をesi / Tegamと同じ厳しい仕様にし続けています
前書き
各esi SR1050転送規格は、11段階の等間隔で構成されています。これらのステップは1MΩ（SR1050-1M）と10MΩ（SR1050-10M）単位で使用できます。 esi SR1050は、各ステップまたは一連の抵抗ステップに3端子接続を提供します。特別に設計されたレバースイッチは、各抵抗器を他の抵抗器から分離します。これにより、外部短絡バーを使用せずに、標準を直列、並列、直並列または個別に構成することができます。
説明
esi SR1050高抵抗トランスファスタンダードでは、単一の100kΩ抵抗基準に対して110MΩまでの正確なトランスファー測定が可能です。このユニットには、1MΩと10MΩの抵抗セクションの2つのモデルがあります。
既知の比を確立する独自の方法に基づいて、esi SR1050規格は、並列、直列または直並列セクションのスイッチング抵抗セクションからなる転送技術を利用しています。優れた設計上の特徴は、外部端子からグランドまでの（各抵抗部内のものを除く）唯一の絶縁漏れ経路が存在する構造である。これにより、3端子測定技術を使用して、校正を1つの抵抗レベルから別の抵抗レベルに移す際の絶縁漏れエラーを排除します。
特別に設計されたレバースイッチは、絶縁漏れエラーを発生させることなく、並列および直列の並列構成に切り替える便利な手段を提供します。外部短絡または並列バーは不要です。各抵抗セクションは、直列に接続された精密な巻線抵抗で構成されています。直列接続の熱集中が低減されることにより、すでに低い温度係数を有する抵抗素子の熱特性が改善される
移転基準の利点
高度な精度でキャリブレーションを行うためには、測定または校正機器のあらゆる範囲または10年ごとに参照標準を使用する必要があります。明らかに、これらの基準は非常に安定していなければならず、その正確な値は高い確度と十分な解決で知る必要があるため、これは困難でコストがかかる可能性があります。
コストと難易度を最小限に抑えるために、このようなキャリブレーションを実行するためのより現実的な方法は、転送標準を使用することです。
国の研究所によって較正された単一の標準がある場合は、比技術によって標準と比較することができます。完全なチュートリアルについては、技術アプリケーションのセクションを参照してください。 転送標準を使用する利点
esi SR1050転送規格基本仕様
転送精度短時間の抵抗値の再現性によってのみ制限されます。標準的な繰り返し精度±2 ppm
初期精度公称値の±25ppm、10MΩの場合は1MΩ、公称値の±30ppm、10MΩの場合は10MΩ
長期精度 ±50ppmの公称値
キャリブレーション精度： 1MΩで±10 ppm; 10MΩのキャリブレーション条件で15 ppm 23℃、低電力、3端子測定
温度係数 ±5 ppm /℃、5 ppm /℃以内で一致
抵抗あたり電力係数 ±0.05ppm / mW
最大電力定格 1W /ステップまたは5Wが10ステップに分散されているか、または2.5kVの最大電圧で、この値で1ワットあたり1Wの電力を超えない
破壊端子間電圧3.5kVアクティブ端子とケース間のピーク
漏れ抵抗端子からケースまで1013Ω以上
